Transistor MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 73 A 80 V, 8 broches

Le transistor MOSFET à canal N OptiMOSTM 5 d'Infineon est doté d'une tension de source de drain (VDS) de 80 V et d'un courant de drain (ID) de 73 A. Il offre une réduction RDS(on) de 43 % par rapport aux générations précédentes et est parfaitement adapté pour les fréquences de commutation élevées. régulateur, etc. Il est spécialement conçu pour le redressement synchrone dans les télécommunications et les alimentations de serveur. En outre, il peut également être utilisé dans d'autres applications industrielles telles que l'énergie solaire, les variateurs basse tension et les adaptateurs.

Idéal pour la commutation et la synchronisation haute fréquence.
Technologie optimisée pour les convertisseurs c.c./c.c.
Excellente charge de grille x produit RDS(on)(FOM)
Très faible résistance à l'état passant RDS(on)
Testé à 100 % en avalanche
Canal N, niveau normal
Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
Placage de câble sans plomb
Conformité à la directive RoHS
Sans halogène selon la norme CEI 61249-2-21
Fiabilité accrue des joints de soudure avec une interconnexion de source élargie