MOSFET canal N Nexperia 10.3 A 30 V, 3 broches, SOT-23
- Code commande RS:
- 243-4864
- Référence fabricant:
- PMV50XNEAR
- Marque:
- Nexperia
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,286 € | 7,15 € |
| 50 - 75 | 0,28 € | 7,00 € |
| 100 - 225 | 0,178 € | 4,45 € |
| 250 - 975 | 0,174 € | 4,35 € |
| 1000 + | 0,161 € | 4,03 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 243-4864
- Référence fabricant:
- PMV50XNEAR
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13.6mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13.6mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor à effet de champ (FET) à mode d'amélioration à canal N de Nexperia dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 doté de la technologie MOSFET à tranchée.
Tension de seuil faible
Plage de températures étendue Tj = 175 °C
Technologie de transistor MOSFET Trench
Commutation très rapide
Conversion c.c.-c.c.
Commande de ligne à haute vitesse
Commutateur de charge côté bas
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