MOSFET canal N Nexperia 7.2 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PMV20XNE

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

7,10 €

HT

8,53 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 2 950 unité(s) expédiée(s) à partir du 24 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 2250,284 €7,10 €
250 - 6000,126 €3,15 €
625 - 12250,124 €3,10 €
1250 - 24750,12 €3,00 €
2500 +0,118 €2,95 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
170-5372
Référence fabricant:
PMV20XNER
Marque:
Nexperia
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

7.2A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

PMV20XNE

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

38mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12.4nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

6.94W

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

3mm

Largeur

1.4mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Interface robuste entre les systèmes asynchrones et synchrones Les bascules sont des éléments de stockage de base dans l'électronique numérique. Les bascules n'autorisent le changement de la sortie que sur la transition frontale, et fournissent ainsi une interface robuste entre les systèmes synchrones et asynchrones. Avec un choix d'options déclenchées par un front positif ou négatif, elles offrent une plus grande flexibilité de conception.

Transistor à effet de champ (FET) à enrichissement canal N, intégré dans un petit boîtier en plastique à montage en surface (CMS) SOT23 (TO-236AB) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Technologie MOSFET à tranchée

Faible tension de seuil

Capacité de dissipation de puissance améliorée de 1 200 mW

Protection contre les décharges électrostatiques (ESD) : HBM 2 kV

Applications

Driver de relais

Driver de ligne haut débit

Commutateur en charge Low-side

Circuits de commutation

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.