MOSFET canal N Nexperia 190 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BST82

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Code commande RS:
166-1262
Référence fabricant:
BST82,215
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

190mA

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

BST82

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

10Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

-1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

830mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.4mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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