Références fabricant

MOSFET canal N Nexperia 190 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BST82

Code commande RS:: 112-5548
Référence fabricant:: BST82,215
Marque:: Nexperia

MOSFET canal N Nexperia 190 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BST82

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5 - 145	0,202 €	1,01 €
150 - 245	0,192 €	0,96 €
250 - 495	0,18 €	0,90 €
500 - 1245	0,17 €	0,85 €
1250 +	0,166 €	0,83 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 112-5548
Référence fabricant:: BST82,215
Marque:: Nexperia

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	190mA
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	SOT-23
	Série	BST82
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	10Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	-1.6V
	Température minimum de fonctionnemen	-65°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	830mW
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	1mm
	Largeur	1.4mm
	Longueur	3mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 190mA
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier SOT-23
	Série BST82
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf -1.6V
	Température minimum de fonctionnemen -65°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 830mW
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 1mm
	Largeur 1.4mm
	Longueur 3mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia

Transistors MOSFET, NXP Semiconductors

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