MOSFET canal N Nexperia 850 mA 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSH103

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Code commande RS:
103-7554
Référence fabricant:
BSH103,215
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

850mA

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-23

Série

BSH103

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

400mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

2.1nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

500mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3mm

Hauteur

1mm

Largeur

1.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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