MOSFET DiodesZetex canal N, U-DFN2030 9 A 20 V, 6 broches

DiodesZetex propose une nouvelle génération de MOSFET à double canal N en mode d'enrichissement. Il a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier U-DFN2030-6. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C. Il offre une faible capacitance d'entrée et une vitesse de commutation rapide.

La tension maximale entre le drain et la source est de 20 V et la tension maximale entre la grille et la source est de ±16 V. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible tension de seuil de grille. Porte protégée contre les décharges électrostatiques