MOSFET 2 canal N Double DiodesZetex 6.5 A 30 V Enrichissement, 6 broches, UDFN-2020 Non
- Code commande RS:
- 246-7547
- Référence fabricant:
- DMT3020UFDB-7
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-7547
- Référence fabricant:
- DMT3020UFDB-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | UDFN-2020 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.03Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.86W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier UDFN-2020 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.03Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.86W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à double canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré en boîtier U-DFN2020-6 et son profil de 0,6 mm le rend idéal pour les applications à faible encombrement. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.
La tension maximale drain-source est de 30 V. La tension maximale de la grille à la source est de ±12 V. Il a une empreinte de circuit imprimé de 4 mm². Il offre une faible tension de seuil de grille. Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques.
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