MOSFET 2 canal N Double DiodesZetex 6.5 A 30 V Enrichissement, 6 broches, UDFN-2020 Non

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Code commande RS:
246-7547
Référence fabricant:
DMT3020UFDB-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

6.5A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

UDFN-2020

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.03Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.8nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Dissipation de puissance maximum Pd

0.86W

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Normes/homologations

RoHS

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

DiodesZetex propose un MOSFET à double canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré en boîtier U-DFN2020-6 et son profil de 0,6 mm le rend idéal pour les applications à faible encombrement. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.

La tension maximale drain-source est de 30 V. La tension maximale de la grille à la source est de ±12 V. Il a une empreinte de circuit imprimé de 4 mm². Il offre une faible tension de seuil de grille. Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques.

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