MOSFET 2 canal N DiodesZetex 4.6 A 20 V Enrichissement, 6 broches, UDFN-2020 Non
- Code commande RS:
- 246-7510
- Référence fabricant:
- DMN2053UFDB-7
- Marque:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,308 € | 7,70 € |
| 50 - 75 | 0,302 € | 7,55 € |
| 100 - 225 | 0,223 € | 5,58 € |
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- Code commande RS:
- 246-7510
- Référence fabricant:
- DMN2053UFDB-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | UDFN-2020 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.056Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.82W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier UDFN-2020 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.056Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.82W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré en boîtier U-DFN2020-6 et son profil de 0,6 mm le rend idéal pour les applications à faible encombrement. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.
La tension maximale entre le drain et la source est de 20 V. La tension maximale entre la grille et la source est de ±12 V. L'empreinte du circuit imprimé est de 4 mm². La tension de seuil de la grille est faible Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques
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