MOSFET 2 canal N DiodesZetex 4.6 A 20 V Enrichissement, 6 broches, UDFN-2020 Non
- Code commande RS:
- 246-6792
- Référence fabricant:
- DMN2053UFDB-7
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
306,00 €
HT
366,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 21 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,102 € | 306,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-6792
- Référence fabricant:
- DMN2053UFDB-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | UDFN-2020 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.056Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.82W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier UDFN-2020 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.056Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.82W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré en boîtier U-DFN2020-6 et son profil de 0,6 mm le rend idéal pour les applications à faible encombrement. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.
La tension maximale entre le drain et la source est de 20 V. La tension maximale entre la grille et la source est de ±12 V. L'empreinte du circuit imprimé est de 4 mm². La tension de seuil de la grille est faible Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal N DiodesZetex 4.6 A 20 V Enrichissement UDFN-2020 Non
- MOSFET canal Type N 6 broches, UDFN-2020 Non
- MOSFET 2 canal Type P 6 broches, UDFN-2020 Non
- MOSFET 2 canal N DiodesZetex 270 mA 100 V Enrichissement UDFN-2020 Non
- MOSFET 1 canal N Simple DiodesZetex 11 A 12 V Enrichissement UDFN-2020
- MOSFET canal N DiodesZetex 10 A 30 V Enrichissement UDFN-2020 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 11 A 20 V Enrichissement UDFN-2020 AEC-Q101
- MOSFET 2 canal N DiodesZetex 5 A 30 V Enrichissement UDFN-2020 Non