Références fabricant

MOSFET 2 canal N DiodesZetex 270 mA 100 V Enrichissement, 6 broches, UDFN-2020 Non

Code commande RS:: 246-6786
Référence fabricant:: DMN10H6D2LFDB-7
Marque:: DiodesZetex

MOSFET 2 canal N DiodesZetex 270 mA 100 V Enrichissement, 6 broches, UDFN-2020 Non

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Code commande RS:: 246-6786
Référence fabricant:: DMN10H6D2LFDB-7
Marque:: DiodesZetex

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	270mA
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	UDFN-2020
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	10Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.3V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	1.2nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	0.7W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	RoHS
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 270mA
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier UDFN-2020
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.3V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.2nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 0.7W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations RoHS
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

Datasheet - DMN10H6D2LFDB-7

DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier U-DFN2020-6. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il offre une porte protégée contre les décharges électrostatiques (jusqu'à 1 kV).

La tension maximale drain-source est de 100 V. La tension maximale grille-source est de ±20 V. Il offre une faible tension de seuil de grille. Il offre une faible capacitance d'entrée

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