MOSFET canal N DiodesZetex 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-6902
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LFGQ-7
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
1 212,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,606 € | 1 212,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-6902
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LFGQ-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerDI3333-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.005mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerDI3333-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.005mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal P en mode enrichissement, conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI3333-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il est classé jusqu'à +175 °C et est idéal pour les environnements à température ambiante élevée. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.
La tension maximale drain-source est de 40 V et la tension maximale grille-source est de ±20 V. Son faible RDS(ON) permet de minimiser les pertes de puissance. Son faible Qg permet de minimiser les pertes de commutation
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