MOSFET canal N DiodesZetex 4 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 DMN AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-7519
- Référence fabricant:
- DMN6069SFVW-7
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 + | 0,424 € | 10,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-7519
- Référence fabricant:
- DMN6069SFVW-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | DMN | |
| Type de Boitier | PowerDI3333-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.1Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 850μm | |
| Longueur | 2.7mm | |
| Largeur | 2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série DMN | ||
Type de Boitier PowerDI3333-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.1Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 850μm | ||
Longueur 2.7mm | ||
Largeur 2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI3333-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement.
La tension maximale drain-source est de 60 V. La tension maximale de la grille à la source est de ±20 V. Il offre un petit facteur de forme et un boîtier thermiquement efficace permettant des produits finaux de plus haute densité. Il offre un petit facteur de forme et un boîtier thermiquement efficace permettant des produits finaux de plus haute densité. Flanc mouillable pour des inspections optiques améliorées
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