MOSFET canal N DiodesZetex 49.1 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-6883
- Référence fabricant:
- DMT47M2SFVWQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
- Code commande RS:
- 246-6883
- Référence fabricant:
- DMT47M2SFVWQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 49.1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerDI3333-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0074Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Hauteur | 800μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 49.1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerDI3333-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0074Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Hauteur 800μm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal P en mode enrichissement, conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI3333-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.
La tension maximale drain-source est de 40 V et la tension maximale grille-source est de ±20 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il offre une faible capacitance d'entrée.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N DiodesZetex 49.1 A 40 V Enrichissement PowerDI3333-8 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 49.1 A 40 V Enrichissement PowerDI3333 DMT47 AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement PowerDI3333-8 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 26 A 100 V Enrichissement PowerDI3333-8 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement PowerDI3333-8 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 100 A 40 V Enrichissement PowerDI3333-8 AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 8.7 A 40 V Enrichissement PowerDI3333-8 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 5.3 A 100 V Enrichissement PowerDI3333 DMN AEC-Q101
