MOSFET canal N DiodesZetex 5.3 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333 DMN AEC-Q101

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Code commande RS:
170-8877
Référence fabricant:
DMN10H120SFG-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

5.3A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

DMN

Type de Boitier

PowerDI3333

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

122mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2.4W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

780mV

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3.35mm

Hauteur

850μm

Largeur

3.35mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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