MOSFET canal N DiodesZetex 5.3 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333 DMN AEC-Q101
- Code commande RS:
- 170-8877
- Référence fabricant:
- DMN10H120SFG-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
687,00 €
HT
825,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 21 avril 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,229 € | 687,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 170-8877
- Référence fabricant:
- DMN10H120SFG-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | DMN | |
| Type de Boitier | PowerDI3333 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 122mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.4W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 780mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.35mm | |
| Hauteur | 850μm | |
| Largeur | 3.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série DMN | ||
Type de Boitier PowerDI3333 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 122mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.4W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 780mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.35mm | ||
Hauteur 850μm | ||
Largeur 3.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
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