MOSFET canal Type N, Type P DiodesZetex 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC Non
- Code commande RS:
- 246-7502
- Référence fabricant:
- DMHC4035LSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
5,61 €
HT
6,73 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 1 580 unité(s) expédiée(s) à partir du 24 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,561 € | 5,61 € |
| 50 - 90 | 0,55 € | 5,50 € |
| 100 - 240 | 0,438 € | 4,38 € |
| 250 - 990 | 0,428 € | 4,28 € |
| 1000 + | 0,385 € | 3,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-7502
- Référence fabricant:
- DMHC4035LSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Type N, Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.058Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 0.7V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.5W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Type N, Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.058Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 0.7V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.5W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
DiodesZetex fabrique une nouvelle génération de MOSFET complémentaire en H-Bridge, qui se caractérise par une faible résistance à l'état passant, réalisable avec une faible commande de grille. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier SO-8. Il offre une commutation rapide et une faible capacitance d'entrée. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.
La tension maximale drain-source est de 40 V et la tension maximale grille-source est de ±20 V. 2 canaux N et 2 canaux P dans un boîtier SOIC. Il offre une faible résistance à l'état passant
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal Type N 8 broches, SOIC Non
- MOSFET canal Type N 8 broches, SOIC Non
- MOSFET canal Type P 8 broches, SOIC Non
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, SOIC Non
- MOSFET 2 canal Type N 8 broches, SOIC AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type N 8 broches, SOIC AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type P 8 broches, SOIC AEC-Q101
- MOSFET de puissance 2 canal Type P Isolé DiodesZetex 3.1 A 30 V Enrichissement SOIC Non