MOSFET DiodesZetex canal N/P, SOIC 4,5 A 40 V, 8 broches

DiodesZetex fabrique une nouvelle génération de MOSFET complémentaire en H-Bridge, qui se caractérise par une faible résistance à l'état passant, réalisable avec une faible commande de grille. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier SO-8. Il offre une commutation rapide et une faible capacitance d'entrée. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.

La tension maximale drain-source est de 40 V. La tension maximale grille-source est de ±20 V. 2 canaux N et 2 canaux P dans un boîtier SOIC. Il offre une faible résistance à l'état passant