MOSFET 2 canal N DiodesZetex 800 mA 20 V Enrichissement, 6 broches, US Non
- Code commande RS:
- 246-7513
- Référence fabricant:
- DMN2710UDW-7
- Marque:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,178 € | 4,45 € |
| 50 - 75 | 0,174 € | 4,35 € |
| 100 - 225 | 0,128 € | 3,20 € |
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- Code commande RS:
- 246-7513
- Référence fabricant:
- DMN2710UDW-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 800mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | US | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.75Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.36W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 800mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier US | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.75Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.36W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier SOT363. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.
La tension maximale du drain à la source est de 20 V et la tension maximale de la grille à la source est de ±6 V. Il offre un boîtier de très petite taille. Il présente une faible fuite d'entrée/sortie
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