MOSFET canal N DiodesZetex 10 A 30 V Enrichissement, 6 broches, UDFN-2020 AEC-Q101

DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré en boîtier U-DFN2020-6 et son profil de 0,6 mm le rend idéal pour les applications à faible encombrement. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.

La tension maximale drain-source est de 30 V. La tension maximale de la grille à la source est de ±20 V. Il a une empreinte de circuit imprimé de 4 mm². Il offre une faible tension de seuil de grille. Il offre une porte protégée contre les décharges électrostatiques.