MOSFET DiodesZetex canal N/P, SOT-223 1,1 A, 800 mA 100 V, 8 broches

DiodesZetex fabrique une nouvelle génération de MOSFET complémentaire en H-Bridge, qui se caractérise par une faible résistance à l'état passant, réalisable avec une faible commande de grille. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce transistor MOSFET est livré dans un boîtier SM-8. Il offre une commutation rapide et une faible capacitance d'entrée. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.

La tension drain-source maximale est de 100 V et la tension porte-source maximale est de ± 20 V. 2 canaux N et 2 canaux P dans un boîtier SOIC Il offre une faible résistance à l'état passant