MOSFET Infineon canal N, TO247-4 98 A 1 200 V, 4 broches

Le transistor MOSFET SiC CoolSiC 1.200 V, 20 mΩ d'Infineon dans le boîtier TO247-4 est basé sur un procédé de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour combiner performance et fiabilité, ces transistors incluent les niveaux de charge de grille et de capacité de circuit les plus bas observés dans les commutateurs 1.200 V, aucune perte de récupération inverse de la diode de corps interne résistante à la commutation, de faibles pertes de commutation indépendantes de la température et caractéristique d'état actif sans seuil, les transistors MOSFET CoolSiC sont parfaits pour les topologies de commutation dures et résonantes telles que les circuits de correction du facteur de puissance (PFC), les topologies bidirectionnelles et les convertisseurs c. c. - c. c. ou les inverseurs c. c. - c. a.

VDSS - 1.200 V à T - 25 °C
IDCC - 98 A à T - 25 °C
RDS(on) - 19 mohm à VGS - 18 V, T - 25 °C
Très faibles pertes de commutation
Temps de résistance court-circuit 3 microsecondes
Tension de seuil de porte de référence, VGS(th) - 4,2 V
Robuste contre l'activation parasite, une tension de porte d'arrêt de 0 V peut être appliquée
Diode de corps robuste pour la commutation dure
Technologie d'interconnexion XT pour les meilleures performances thermiques de la catégorie