MOSFET Infineon canal N, TO-263-7 6 A 650 V, 7 broches

Le transistor MOSFET SiC d'Infineon est un transistor CoolSiC 650 V construit sur la technologie de carbure de silicium solide, tirant parti des caractéristiques du matériau SiC à large écart de bande. Le transistor MOSFET CoolSiC 650 V offre une combinaison unique de performances, de fiabilité et de facilité d'utilisation, adapté à des températures élevées et à des opérations difficiles, il permet le déploiement simplifié et rentable du plus haut rendement du système.

Comportement de commutation optimisé à des courants plus élevés
Diode à corps rapide robuste de commutation avec faible Qf
Fiabilité de l'oxyde de grille supérieure
Tj max. -175 °C et excellent comportement thermique
Faible RDS(en marche) et faible dépendance du courant d'impulsion à la température
Capacité d'avalanche accrue
Compatible avec des drivers standard
La source Kelvin fournit jusqu'à 4 fois moins de pertes de commutation