MOSFET canal N ROHM 10.7 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 R6520KNX3

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Code commande RS:
249-1121
Référence fabricant:
R6520KNX3C16
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-220

Série

R6520KNX3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

40nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Les MOSFET Rohm à commutation haute vitesse canal N 650 V, 20 A de puissance de courant de drain sont des produits de commutation haute vitesse, des MOSFET à super jonction, qui mettent l'accent sur le haut rendement, et permettent d'obtenir un rendement plus élevé grâce à la commutation haute vitesse, h

Faible résistance à l'état passant

Commutation ultrarapide

Une utilisation en parallèle est facile

Placage compatible sans plomb

Conforme à la directive RoHS

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