MOSFET canal N ROHM 10.7 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 RCJ451N20

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Code commande RS:
249-1132
Référence fabricant:
RCJ451N20TL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-263

Série

RCJ451N20

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance à canal N Rohm avec faible résistance à l'état passant et commutation rapide, adapté pour l'application de commutation, est doté d'une tension source de drain de 200 V et d'un courant de drain de 45 A, avec un type d'emballage à ruban.

Faible résistance à l'état passant

Vitesse de commutation élevée

Une utilisation en parallèle est facile

Placage compatible sans plomb

Conforme à la directive RoHS

Testé à 100 % en avalanche

Les circuits d'entraînement peuvent être simples

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