MOSFET Nexperia canal N, LFPAK88 410 A 50 V, 4 broches

Transistor MOSFET Nexperia 410 A à courant continu et à commande par grille à niveau logique à canal N en mode d'enrichissement dans un boîtier LFPAK88 175°C. Il fait partie de la famille des ASFET pour l'isolation des batteries et la commande des moteurs à courant continu et utilise la technologie unique « SchottkyPlus » de Nexperia. Il offre un rendement élevé et les faibles performances en matière de pics généralement associées aux MOSFET avec une diode Schottky ou de type Schottky intégrée, mais sans le courant de fuite élevé problématique.

Fixation de la puce par clipsage et soudure en cuivre pour une inductance et une résistance faibles du boîtier et une valeur ID (max) élevée
Qualifié à 175°C
Résistance aux avalanches, testée à 100 %
Faible QG, QGD et QOSS pour un rendement élevé, notamment à des fréquences de commutation plus élevées
Commutation ultrarapide avec récupération douce du corps de la diode pour un faible niveau de pics et d'oscillations, recommandé pour les conceptions à faible IEM
VGS(th) étroit, pour une mise en parallèle facile et un meilleur partage du courant
Très fortes caractéristiques en mode linéaire/zone de fonctionnement sûre, pour une commutation sûre et fiable dans des conditions de courant élevé