MOSFET canal N Vishay 421 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPak SO-8DC AEC-Q101
- Code commande RS:
- 252-0249
- Référence fabricant:
- SIDR500EP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 252-0249
- Référence fabricant:
- SIDR500EP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 421A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerPak SO-8DC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00068mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 421A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerPak SO-8DC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00068mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46.1nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La gamme de produits MOSFET Siliconix de Vishay inclut une gamme diversifiée de technologies avancées. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. Il s'agit d'un type de canal plus répandu. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à la borne de grille.
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