MOSFET canal N Vishay 39.6 A 30 V Épuisement, 8 broches, PowerPak SO-8DC AEC-Q101

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Code commande RS:
252-0261
Référence fabricant:
SIDR610EP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

39.6A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

PowerPak SO-8DC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0042mΩ

Mode de canal

Épuisement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46.1nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.15mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Standard automobile

AEC-Q101

La gamme de produits MOSFET Siliconix de Vishay inclut une gamme diversifiée de technologies avancées. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. Il s'agit d'un type de canal plus répandu. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à la borne de grille.

MOSFET de puissance TrenchFET Gen V

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