MOSFET canal N ROHM 10.7 A 12 V Enrichissement, HSOP-8 RS6L120BG AEC-Q101

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Code commande RS:
255-7717
Référence fabricant:
RS6L120BGTB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Série

RS6L120BG

Type de Boitier

HSOP-8

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

51nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de puissance 60 V 150 A à canal N de ROHM est un dispositif à placage sans plomb, conforme à la directive RoHS.

Faible résistance à la mise sous tension - boîtier haute puissance (HSOP8) sans halogène 100 % Rg et testé UIS

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