MOSFET canal N ROHM 10.7 A 12 V Enrichissement, HSOP-8 RS6L120BG AEC-Q101

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Code commande RS:
255-7717
Référence fabricant:
RS6L120BGTB1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

HSOP-8

Série

RS6L120BG

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

51nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de puissance 60 V 150 A à canal N de ROHM est un dispositif à placage sans plomb, conforme à la directive RoHS.

Faible résistance à la mise sous tension - boîtier haute puissance (HSOP8) sans halogène 100 % Rg et testé UIS

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