MOSFET Vishay canal P, DPAK (TO-252) 19 A 55 V

Les MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor utilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre une résistance à la mise sous tension extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les MOSFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le D2PAK est un boîtier d'alimentation à montage en surface capable d'accueillir des tailles de matrice jusqu'à HEX-4.

Technologie de processus avancée
Montage en surface
Température d'utilisation : 175 °C
Commutation rapide
Canal P
Entièrement protégé contre les avalanches