MOSFET P onsemi 55 A 35 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 PowerTrench

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 247,50 €

HT

1 497,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Stock limité
  • 2 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,499 €1 247,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
166-2644
Référence fabricant:
FDD6637
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

35V

Type de Boitier

TO-252

Série

PowerTrench

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

19mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

45nC

Tension directe Vf

-0.8V

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.73mm

Normes/homologations

No

Largeur

6.22mm

Hauteur

2.39mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal P, automobile, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor propose des solutions permettant de résoudre des problèmes complexes dans le marché de l'automobile, avec une bonne maîtrise de la qualité, de la sécurité et des normes de fiabilité.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.