MOSFET N onsemi 15.7 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 PowerTrench

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Code commande RS:
809-0944
Référence fabricant:
FDD850N10L
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

15.7A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Série

PowerTrench

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

96mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22.2nC

Dissipation de puissance maximum Pd

50W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

2.39mm

Longueur

6.73mm

Normes/homologations

No

Largeur

6.22mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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