MOSFET Vishay canal N, TO-220 FULLPAK 17 A 100 V

Le MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor fournit au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le TO-220 FULLPAK élimine le besoin de matériel d'isolation supplémentaire dans les applications commerciales et industrielles. Le composé de moulage utilisé fournit une haute capacité d'isolation et une faible résistance thermique entre la languette et le dissipateur externe.

Boîtier isolé
L'isolation haute tension est de 2,5 kVrms
La distance de fuite entre l'évier et le câble est de 4,8 mm
Température d'utilisation : 175 °C
Valeur nominale dynamique dV/dt
Faible résistance thermique