MOSFET Vishay canal N, IPAK (TO-251) 1,7 A 400 V

Le MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor fournit au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le DPAK est conçu pour le montage en surface à l'aide de techniques de soudage à la vapeur, à l'infrarouge ou à la vague. La version à câble droit (série IRFU, SiHFU) est conçue pour les applications à montage traversant. Des niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 W sont possibles dans les applications à montage en surface typiques.

Valeur nominale dynamique dV/dt
Résistant aux avalanches répétitives
Disponible en ruban et bobine
Commutation rapide
Entièrement protégé contre les avalanches