MOSFET N Infineon 72 A 200 V, TO-262 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5554
- Référence fabricant:
- IRFS4127TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
977,60 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,222 € | 977,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5554
- Référence fabricant:
- IRFS4127TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 72A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-262 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18.6mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 100nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 72A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-262 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18.6mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 100nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET d'Infineon est doté d'une robustesse de grille, d'avalanche et d'un dV/dt dynamique améliorés et d'une capacité et d'un SOA d'avalanche entièrement caractérisés.
Capacité de diode de corps dV/dt et dI/dt améliorée
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