MOSFET Infineon canal Type N, TO-263 362 A 40 V, 7 broches
- Code commande RS:
- 257-5558
- Référence fabricant:
- IRFS7434TRL7PP
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
806,40 €
HT
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TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,008 € | 806,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5558
- Référence fabricant:
- IRFS7434TRL7PP
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 362A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.7mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 245W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20 V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 210nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 0.9V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 362A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.7mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 245W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20 V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 210nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 0.9V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET d'Infineon est doté d'une robustesse de grille, d'avalanche et d'un dV/dt dynamique améliorés et d'une capacité et d'un SOA d'avalanche entièrement caractérisés.
Capacité et aire de sécurité en avalanche entièrement caractérisées
Amélioration de la dV/dt et de la dI/dt de la diode de corps
Capacité sans plomb, conforme à la directive RoHS
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