MOSFET canal N Infineon 22 A 600 V, 3 broches, TO-247 IPW
- Code commande RS:
- 258-3907P
- Référence fabricant:
- IPW60R099C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 25 - 49 | 5,66 € |
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| 100 + | 5,03 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3907P
- Référence fabricant:
- IPW60R099C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 22A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | IPW | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 99mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 22A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série IPW | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 99mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série de transistors MOSFET à super jonction CoolMOS C7 600 V d'Infineon offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension par rapport à la série CoolMOS CP, offrant un niveau de performance exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies difficiles à commuter. Le transistor MOSFET est également une combinaison parfaite pour les conceptions de chargeur à haute densité de puissance. Applications de rendement et TCO telles que les hypercentres de données et les redresseurs de télécommunications à haut rendement (>96 %) bénéficient du rendement plus élevé offert par CoolMOS C7. Des gains de 0,3 à 0,7 % dans les topologies PFC et de 0,1 % dans les topologies LLC peuvent être obtenus. Dans le cas d'une alimentation de serveur de 2,5 kW, par exemple, l'utilisation de transistors MOSFET CoolMOS C7 SJ de 600 V dans un boîtier TO-247 4 broches peut entraîner une réduction des coûts d'énergie d'environ 10 % pour la perte d'énergie de l'alimentation.
Fréquence de commutation accrue
Meilleur R (on)A au monde
Diode de corps robuste
Mesure affichant le paramètre clé pour une charge légère et un rendement à pleine charge
Le doublement de la fréquence de commutation permet de réduire de moitié la taille des composants magnétiques
Boîtiers plus petits pour le même R DS(on)
Peut être utilisé dans beaucoup plus de positions pour les topologies de commutation dure et souple