MOSFET Infineon canal N, MG-WDSON-5 12 A 80 V

La technologie MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon au silicium avec le boîtier DirectFETTM avancé permet d'obtenir la plus faible résistance à l'état actif dans un boîtier qui a l'encombrement d'un SO-8 et un profil de seulement 0,7 mm. Le boîtier DirectFET est compatible avec les géométries de disposition existantes utilisées dans les applications d'alimentation, l'équipement d'assemblage de circuit imprimé et les techniques de soudure par phase de vapeur, infrarouge ou convection. La note d'application AN-1035 est suivie concernant les méthodes et processus de fabrication.

Transistors MOSFET spécifiques à l'application
Idéal pour le convertisseur isolé haute performance
Prise femelle d'interrupteur primaire
Optimisé pour le redressement synchrone
Faibles pertes de conduction
Immunité Cdv/dt élevée
Bas profil (<0,7 mm)
Compatible avec le refroidissement double face
Compatible avec la technique de montage en surface existante