MOSFET Nexperia canal N, SOT1235 410 A 50 V

MOSFET à mode d'amélioration à canal N de driver de grille de niveau logique Nexperia dans un boîtier LFPAK88 à 175 °C. Une partie de la famille d'ASFET pour l'isolation de batterie et la commande de moteur c.c. et utilisant la technologie Schottky Plus unique de Nexperia fournit un haut rendement et une faible performance de pointe généralement associée aux MOSFET avec une diode Schottky ou de type Schottky intégrée mais sans courant de fuite élevé problématique. L'ASFET est particulièrement adapté aux applications alimentées par batterie 36 V nécessitant une forte capacité d'avalanche, des performances en mode linéaire, une utilisation à des fréquences de commutation élevées, ainsi qu'une commutation sûre et fiable à courant de charge élevé.

Commutation ultra-rapide avec récupération de diode à corps souple
Très puissant mode linéaire