MOSFET canal N ROHM 4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 R6004END3

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Code commande RS:
264-3775
Référence fabricant:
R6004END3TL1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

R6004END3

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.98Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

59W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET à faible bruit de la marque ROHM est adapté pour les alimentations à découpage. Il est doté d'une faible résistance à la mise sous tension, d'un faible bruit de rayonnement et d'un placage ne contenant pas de plomb, et est conforme à la directive RoHS.

Commutation rapide

Utilisation parallèle facile

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