MOSFET canal N ROHM 8 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 RD3L080SN

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Code commande RS:
264-3810
Référence fabricant:
RD3L080SNTL1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

8A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-252

Série

RD3L080SN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

80mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

15W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.4nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

Pb-free lead plating, RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance de la marque ROHM est doté d'une faible résistance à l'état passant. Il est adapté pour les applications de commutation et est facile à monter sur les circuits d'entraînement. Il ne contient pas de plomb et est conforme à la directive RoHS.

Vitesse de commutation rapide

Utilisation parallèle facile

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