MOSFET canal N ROHM 17.5 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 RD3P175SN
- Code commande RS:
- 264-3815
- Référence fabricant:
- RD3P175SNTL1
- Marque:
- ROHM
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
7,56 €
HT
9,07 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 440 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,512 € | 7,56 € |
| 50 - 95 | 1,354 € | 6,77 € |
| 100 - 245 | 1,056 € | 5,28 € |
| 250 - 995 | 1,036 € | 5,18 € |
| 1000 + | 0,888 € | 4,44 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-3815
- Référence fabricant:
- RD3P175SNTL1
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | RD3P175SN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 105mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série RD3P175SN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 105mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance de la marque ROHM est doté d'une faible résistance à l'état passant. Il est adapté pour les applications de commutation et est facile à monter sur les circuits d'entraînement. Il ne contient pas de plomb et est conforme à la directive RoHS.
Vitesse de commutation rapide
Utilisation parallèle facile
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N ROHM 17.5 A 100 V Enrichissement TO-252 RD3P175SN
- MOSFET canal N ROHM 4 A 650 V Enrichissement TO-252
- MOSFET canal N ROHM 7 A 650 V Enrichissement TO-252
- MOSFET canal N ROHM 11 A 650 V Enrichissement TO-252
- MOSFET canal N ROHM 9 A 650 V Enrichissement TO-252
- MOSFET canal N ROHM 10 A 600 V Enrichissement TO-252 R60
- MOSFET canal N ROHM 1.7 A 650 V Enrichissement TO-252 R65
- MOSFET canal N ROHM 9 A 600 V Enrichissement TO-252 R60