Références fabricant

MOSFET canal N ROHM 2.5 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-346 RSR025N03HZG

Code commande RS:: 264-3849
Référence fabricant:: RSR025N03HZGTL
Marque:: ROHM

MOSFET canal N ROHM 2.5 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-346 RSR025N03HZG

Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*

609,00 €

732,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,203 €	609,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 264-3849
Référence fabricant:: RSR025N03HZGTL
Marque:: ROHM

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	2.5A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	SOT-346
	Série	RSR025N03HZG
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	70mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.2V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	2.9nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	1W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	AEC-Q101
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 2.5A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier SOT-346
	Série RSR025N03HZG
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.2V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.9nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 1W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations AEC-Q101
	Standard automobile Non

Datasheet - RSR025N03HZGTL

Pays d'origine :: TH

Le transistor MOSFET à faible signal de la marque ROHM est un transistor MOSFET doté d'une faible résistance à l'état passant idéal pour les applications de commutation. Il s'agit d'un petit boîtier à montage en surface. Il est doté d'un placage ne contenant pas de plomb.; Conforme à la directive RoHS et certifié AEC-Q101.

Diode de protection G-S intégrée

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