MOSFET P ROHM -2.5 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-346 RSR025P03HZG

Voir la catégorie

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

606,00 €

HT

726,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,202 €606,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
264-3854
Référence fabricant:
RSR025P03HZGTL
Marque:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

-2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

RSR025P03HZG

Type de Boitier

SOT-346

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

98mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

-1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS, AEC-Q101

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Le transistor MOSFET à faible signal de la marque ROHM est un transistor MOSFET de qualité automobile doté d'une faible résistance à l'état passant. Il est idéal pour les applications de commutation et est doté d'un petit boîtier à montage en surface. Il est doté d'un placage ne contenant pas de plomb.; Conforme à la directive RoHS et certifié AEC-Q101.

Diode de protection G-S intégrée

Nos clients ont également consulté