MOSFET P ROHM 4.5 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SOT-457

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

921,00 €

HT

1 104,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Dernier stock RS
  • 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,307 €921,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
264-3864
Référence fabricant:
RTQ035P02HZGTR
Marque:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

4.5A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-457

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

65mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.5nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.25W

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

AEC-Q101

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Le transistor MOSFET à faible signal de la marque ROHM est un transistor MOSFET idéal pour les applications de commutation. Il s'agit d'un produit hautement fiable de classe automobile certifié AEC-Q101. Il s'agit d'un petit boîtier à montage en surface et d'un placage en plomb sans plomb et conforme à la directive RoHS.

Faible résistance à l'état passant

Diode de protection G-S intégrée

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.