MOSFET canal N ROHM 5 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SOT-457 RUQ050N02HZG

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264-3885
Référence fabricant:
RUQ050N02HZGTR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

5A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-457

Série

RUQ050N02HZG

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

30mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.25W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

AEC-Q101

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Le transistor MOSFET à faible signal de la marque ROHM est un transistor MOSFET doté d'une faible résistance à l'état passant idéal pour les applications de commutation. Il s'agit d'un petit boîtier à montage en surface doté d'un placage ne contenant pas de plomb et conforme à la directive RoHS.

Certifié AEC-Q101

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