MOSFET canal N ROHM 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 R6013VND3 NaN

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Code commande RS:
265-5415
Référence fabricant:
R6013VND3TL1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

13A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-252

Série

R6013VND3 NaN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.3Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

21nC

Dissipation de puissance maximum Pd

131W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS NaN

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance de ROHM avec une faible résistance à l'état passant et un boîtier de haute puissance qui convient aux circuits de commutation, aux applications de batterie à cellule unique et aux applications mobiles.

Temps de rétablissement rapide de l'inversion (trr)

Faible résistance à l'état passant

Vitesse de commutation rapide

Les circuits d'entraînement peuvent être simples

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