MOSFET ROHM canal N, TO-247-4L 55 A 1 200 V, 4 broches

Le transistor MOSFET ROHM est un transistor MOSFET SiC doté d'une structure de grille de tranchée optimisée pour un certain nombre d'applications, y compris les alimentations de serveur, les inverseurs d'énergie solaire, les alimentations à découpage, les entraînements de moteur, le chauffage par induction et les stations de charge EV exigeant un haut rendement. Un nouveau boîtier à 4 broches est utilisé qui sépare les bornes de source d'alimentation et de driver, ce qui permet de maximiser les performances de commutation haute vitesse. Cela améliore les pertes de mise sous tension en particulier et, par conséquent, les pertes totales de mise sous tension et de mise hors tension peuvent être réduites jusqu'à 35 % par rapport au boîtier à 3 broches conventionnel.

Faible résistance à la mise sous tension
Vitesse de commutation rapide
Simple à piloter
Placage de plomb sans plomb
Récupération inverse rapide