MOSFET canal N Vishay 66 A 80 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK SO-8L SQJ AEC-Q101
- Code commande RS:
- 268-8366
- Référence fabricant:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,961 € | 9,61 € |
| 50 - 90 | 0,942 € | 9,42 € |
| 100 - 240 | 0,749 € | 7,49 € |
| 250 - 990 | 0,733 € | 7,33 € |
| 1000 + | 0,491 € | 4,91 € |
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- Code commande RS:
- 268-8366
- Référence fabricant:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 66A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8L | |
| Série | SQJ | |
| Type de montage | Circuit imprimé | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.032Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 135W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 66A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8L | ||
Série SQJ | ||
Type de montage Circuit imprimé | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.032Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 135W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 45nC | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 4.9mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance TrenchFET de génération 4 à canal N pour l'automobile de Vishay est un dispositif sans plomb et sans halogène. Il s'agit d'un dispositif de configuration simple qui est indépendant de la température d'utilisation.
Certifié AEC Q101
Conforme à la directive ROHS
Testé par UIS à 100 %
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