MOSFET Infineon

Le transistor MOSFET d'Infineon offre une réduction de la complexité et du coût du système. Ce transistor MOSFET est doté d'une diode de corps robuste pour une commutation dure, d'une tension de seuil de grille de référence est de 4,5 V, d'une broche de détection pour des performances de commutation optimisées et de la technologie d'interconnexion XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie. La distance de fuite et de dégagement du boîtier est supérieure à 6,1 mm.

Amélioration du rendement
Réduction de l'effort de refroidissement
Densité de puissance accrue
Très faibles pertes de commutation
Permet une fréquence plus élevée
Robuste contre l'allumage parasite