MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 40 V Enrichissement, 4 broches, ECOPACK STL

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
273-5100
Référence fabricant:
STL260N4F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

ECOPACK

Série

STL

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

1.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

188W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

72nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui se traduit par une très faible résistance à l'état sous tension, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Certifié AEC-Q101

Excellent FoM

Haute robustesse contre les avalanches

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